产品详情
UC341是长江存储新一代嵌入式存储产品，符合JEDEC UFS 3.1标准。该产品采用基于晶栈®Xtacking®3.0的长江存储TLC 3D NAND打造，具备高性能、低功耗、稳定可靠等特性；引入多极自主优化（Hint HID）、行为日志（Trace Dump）等创新功能；产品设计128GB、256GB及512GB三种容量规格。
经过多次技术迭代，UC341方案成熟，产品可靠，供应平稳，为旗舰智能手机、高端笔记本、VR/AR以及其他AIoT设备提供理想存储解决方案。
高性能 提供更佳存储体验
UC341拥有行业领先的性能，能快速存取海量数据、高效响应操作指令，为用户提供更佳的存储体验。
低功耗设计 降低发热延长续航
UC341采用低功耗设计，在游戏、视频、社交等高负载工况下，功耗表现低于行业平均水平，能降低设备发热，延长整体续航，提升用户体验。
多极自主优化（Hint HID）、行为日志（Trace Dump）等创新功能
全新升级的多极自主优化（Hint HID）功能，自主识别细碎文件，智能主动化碎片管理，优化碎片文件读写性能，有效减少系统卡顿。
引入行为日志（Trace Dump）功能，实时记录发生错误时运行的命令序列以及状态，快速定位根因，为产品的维护提供数据参考。
晶栈®Xtacking®3.0技术
UC341采用长江存储晶栈®Xtacking®3.0技术打造的三维闪存芯片，拥有行业领先的I/O速度、更高的存储密度及更高的品质。
成熟稳定的产品方案 安全平稳的供应体系
经过多次技术迭代,UC341技术方案安全成熟, 产品设计稳定可靠；长江存储原厂制造，能为客户提供安全、平稳的产品供应。
相关资料
UFS 3.1通用闪存 UC341.pdf
技术规格
产品型号 | UC341 |
容量 | 128GB | 256GB | 512GB |
UFS协议 | 3.1 |
M-PHY接口 | 4.1 |
UniPro协议 | 1.8 |
工作电压( V ) | VCC: 2.4~2.7；VCCQ: 1.14~1.26 |
顺序读取(MB/s) | 2000 | 2000 | 2000 |
顺序写入(MB/s) | 1600 | 1900 | 1900 |
工作温度( °C ) | -25~85 |
*以上测试数据为长江存储内部测试结果。性能根据测试配置、固件版本的不同可能有所差异。